mos管怎么测试好坏

用万能表检测mos管好坏的方法：

将万用表两个表笔分别搭接在其他两个极：给B极与任意一个极接一个10千欧姆电阻，电阻先不要接上 ，把表笔分别放在两级
，电阻这时再接触，指针摆动越大证明该管拆兆败子放大系数就越大 ，也就是说该管子就越好
，反之越差 。

接电阻的那一端为C极；若是红表笔为P管，黑表笔旅颤为N管
。凡是不符合以上测量数据的三极管都是坏的。

万用表的相关要求规定：

1 、指针表读取精度较差 ，但指针摆动的过程比较直观，其摆动速度幅度有时也能比较客观地反映了被测量的大小（比如测电视机数据总线(SDL)在传送数据时的轻微抖动）；数字表读数直观
，但数字变化的过程看起来很杂乱，不太容易观猜绝看 。

2
、数字万用表的准确度是测量结果中系统误差与随机误差的综合
。它表示测量值与真值的一致程度 ，也反映测量误差的大小。一般讲准确度愈高
，测量误差就愈小，反之亦然 。

3、指针表内一般有两块电池 ，一块低电压的1.5V,一块是高电压的9V或15V,其黑表笔相对红表笔来说是正端。数字表则常用一块6V或9V的电池
。在电阻档
，指针表的表笔输出电流相对数字表来说要大很多，用R×1Ω档可以使扬声器发出响亮的“哒”声 ，用R×10kΩ档甚至可以点亮发光二极管。

MOS管的好坏如何判断

用万用表R×1k档或R×10k档
，测量场效应管任意两脚之间的正 、反向电阻值 。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外 ，其余各引脚之间（G与D
、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大
。若测得某两极之间的电阻值接昌晌近0Ω
，则说明该管已击穿损坏。

另外，还可以用触发栅极（P沟桥好道场效应晶敏迅铅体管用红表笔触发 ，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏 。若触发有效（触发栅极G后，D 、S极之间的正、反向电阻均变为0）
，则可确定该管性能良好
。

MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。

一
、先确定MOS管的引脚：

1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；

1 、首先找出场效应管的D极（漏极） 。对于TO-252
、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管 ，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的
，故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚，哪个引脚与散热片相连 ，哪个引脚就是D极
。

2、找到D极后
，将万用表调至二极管档；

3 、用黑表笔接触管子的D极，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时 ，万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降
，那么该引脚即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极） 。

二
、MOS管好坏的测量：

1、当把红表笔放在S极上 ，黑表笔放在D极上
，可以测出来这个导通压降，一般在0.5V左右为正常；

2 、G脚测量 ，需要先对G极充下电，把红表笔放在G极
，黑表笔放在S极；

3
、再次把红表档行纯笔放在S极上，黑表笔放在D极上 ，可以测出来这个放大压降
，一般在0.3V左右为正常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1、开启电压VT

开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；通过工艺上的改进 ，可以使MOS管的VT值降到2～3V
。

2 、直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH可以很容易地超过1010Ω。

3.
、漏源击穿电压BVDS

在VAH=0（增强型）的条件下
，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些MOS管中，其沟道长度较短 ，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区
，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通 ，穿通后
，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引 ，到达漏区，产生大的ID 。

4、栅源击穿电压BVAH

在增加栅源电压过程中
，使栅极电流IG由零开始剧增时的VAH，称为栅源击穿电压BVAH。

5 、低频跨导gm

在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导；

gm反映了栅源电行咐压对漏极电流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6、导通电阻RON

导通电阻RON说明带姿了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

在饱和区 ，ID几乎不随VDS改变
，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下
，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7
、极间电容

三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CAH、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

CAH和CGD约为1～3pF ，CDS约在0.1～1pF之间

8 、低频噪声系数NF

噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
。·由于它的存在
，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示 ，它的单位为分贝（dB）。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应管的噪声系数约为几个分贝
，它比双极性三极管的要小

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