mos管的工作原理

目前主板或显卡上使用mos管场效应管的工作原理及结构的MOS管并不太多mos管场效应管的工作原理及结构，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中 。因为MOS管主要为配件提供稳定mos管场效应管的工作原理及结构的电压 ，所以一般用在CPU、AGP插槽 、内存插槽附近
。仔清其中
，CPU和AGP插槽附近布置mos管场效应管的工作原理及结构了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说 ，MOS管两个一组出现在主板上 。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)
。另一种晶体管叫FET
，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。它们是电流控制装置和电压控制装置 。FET的增益等于其跨导)gm，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比
。FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate) ，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电念裤前流流过这个绝缘体(只是电容的作用)
，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗) 。最常见的FET在栅电极纯戚下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体
。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

场效应管的工作原理和基本结构是什么？

场效应管（FETmos管场效应管的工作原理及结构 ，Field Effect Transistor)电压产生mos管场效应管的工作原理及结构的电场来控制管子工作的 。现在最常用的是MOSFET（M是金属mos管场效应管的工作原理及结构
，O是氧化物，S是半导体） ，三者恰好形成一个电容
，中间的氧化物作为电容的电介质
。

电子往电势高的地方（正极）流动聚集，空穴向电势低的地方（负极）流动聚集。

以N管为例mos管场效应管的工作原理及结构：

（1）在不加电仔笑源的情况下 ，源极和漏极都充满mos管场效应管的工作原理及结构了电子
，是N型半导体，而它们之间的衬底却是P型半导体 ，相当于两个反串的PN结，电阻很大 。也可以理解为两个导体被中间的衬底隔离开了
。此时无法导电。

（2）在栅极上加上一个正电压之后
，这个电压在栅极和衬底之间形成了一个栅极指向衬底的电场，这个电场吸引电子 ，使电子在栅氧化层下方聚集
，同时将空穴排斥开 。随着栅压的升高，电子的浓度越来越大 ，空穴浓度越来越小。本来栅氧化层边缘的衬底为P型半导体
，空穴浓度大于电子浓度，但是当栅极电压加到一定程度（Vth）时 ，电子的浓度开始超过空穴浓度
，此时P型衬底变为N型衬底，也就是变成“沟道 ”将源极和漏极连起来了 ，此时就可以导电了
。

（3）栅极的电压必须比源极或漏极高一个Vth
，对应端的沟道才能导通，不然就会夹断。导通部分电阻很小 ，夹断部分电阻非常大（即空间电荷区） 。

（4）沟道两端同时谈晌夹断，就工作在截止区；只有一端夹断
，就工作在饱和区；没有夹断，就工作在线性区
。截止区就相当于断开不工作 ，饱和区相当于一个电流源
，线性区相当于一个电阻。

总之，场效应管就是靠这个“沟道
”来工作的 ，没有“沟念侍含道”就休眠了 。

mos管是什么原理，起什么作用的

MOS管的原理：

它是利用VAH来控制“扮凳感应电荷 ”的多少 ，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况
，然后达到控制漏极电流的目的
。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子 ，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷
，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道 ，即使在VAH=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变
，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化 。

作用：

1
、可应用于放大电路
。由于MOS管放大器的输入阻抗很高 ，因此耦合电容可以容量较小
，不必使用电解电容器。

2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换 。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换
。

3 、可以用作可变电阻。

4、可以方便地用作恒流源 。

5
、可以用作电子开关。

简介：

mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管
。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体 。MOS管的source和drain是可以对调的 ，都是在P型backgate中形成的N型区
。在多数情况下
，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的 。

结誉滑构特点：

MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多庆缺腊子)参与导电 ，是单极型晶体管
。导电机理与小功率MOS管相同
，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件 ，功率MOSFET大都采用垂直导电结构
，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

n沟道mos管                 

p沟道mos管

其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层 ，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道 。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压
，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管
。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

mos晶体管结构及工作原理

1. MOS管工作原理--MOS管简介

MOS管 ，即在集成电路中绝缘性场效应管 。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体
，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构 ，即：在一定结构的半导体器件上
，加上二氧化硅和金属，形成栅极
。MOS管的source和drain是可以对调的 ，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下
，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的 。

2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点

MOS管的内部结构如旅则下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电 ，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同
，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件 ，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET
，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力
。

　其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻 ，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅轿枯极上施加正向偏压
，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管 。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管
。

3. MOS管工作原理

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VAH来控制“感应电荷
”的多少 ，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况
，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子 ，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷
，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道 ，即使在VAH=0时也有较大的漏极电流ID 。当栅极电压改变时
，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变 ，因而漏极电流闭镇洞ID随着栅极电压的变化而变化
。

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